ATF-54143-TR1
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是美国安华高科技有限公司的ATF-54143-TR1的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);晶体管类型:pHEMT FET;频率:2GHz;增益:16.6dB;电压-测试:3V;
- 厂商:美国安华高科技有限公司
- 类别:
分立半导体产品/RF FET/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- 晶体管类型:pHEMT FET
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:2GHz
- 增益:16.6dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:3V
- 额定电流:120mA
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:0.5dB
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:60mA
- 功率-输出:20.4dBm
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:5V
- 封装/外壳:SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:SOT-343