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BLF4G20LS-110B,112

BLF4G20LS-110B,112

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是恩智浦半导体公司的BLF4G20LS-110B,112的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：托盘；晶体管类型：LDMOS；频率：1.93GHz ~ 1.99GHz；增益：13.4dB；电压-测试：28V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：托盘
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：1.93GHz ~ 1.99GHz
  • 增益：13.4dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：28V
  • 额定电流：12A
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：650mA
  • 功率-输出：100W
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：65V
  • 封装/外壳：SOT-502B
  • 供应商器件封装：SOT502B
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