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综述介绍

MMBFJ309LT1

MMBFJ309LT1

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBFJ309LT1的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）；晶体管类型：N 通道 JFET；额定电流：30mA；电压-额定：25V；封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）
系列：-
晶体管类型：N 通道 JFET
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：-
增益：-
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：-
额定电流：30mA
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：-
功率-输出：-
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：25V
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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