Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > RF FET > MRFG35005NT1

综述介绍

MRFG35005NT1

MRFG35005NT1

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是飞思卡尔半导体的MRFG35005NT1的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：pHEMT FET；频率：3.55GHz；增益：11dB；电压-测试：12V；

厂商：飞思卡尔半导体
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：pHEMT FET
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：3.55GHz
增益：11dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：12V
额定电流：1.7A
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：80mA
功率-输出：4.5W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：15V
封装/外壳：PLD-1.5
供应商器件封装：PLD-1.5

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号