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综述介绍

BG 3123R E6327

BG 3123R E6327

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是英飞凌科技公司的BG 3123R E6327的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：2 N-通道（双）；频率：800MHz；增益：25dB；电压-测试：5V；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：2 N-通道（双）
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：800MHz
增益：25dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：5V
额定电流：25mA，20mA
功率-最大值：-
噪声系数：1.8dB
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：14mA
功率-输出：-
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：8V
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6

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