中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > RF FET  >  PTF080101S V1

PTF080101S V1

PTF080101S V1

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是英飞凌科技公司的PTF080101S V1的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；系列：GOLDMOS®；晶体管类型：LDMOS；频率：960MHz；增益：18.5dB；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：GOLDMOS®
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 频率：960MHz
  • 增益：18.5dB
  • 频率-跃迁：-
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 电压-测试：28V
  • 额定电流：1µA
  • 功率-最大值：-
  • 噪声系数：-
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
  • 电流-测试：150mA
  • 功率-输出：10W
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：-
  • 电压-额定：65V
  • 封装/外壳：H32259-2
  • 供应商器件封装：H-32259-2
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099