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综述介绍

MRFE6S9200HSR3

MRFE6S9200HSR3

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是飞思卡尔半导体的MRFE6S9200HSR3的数据表，它是属于分立半导体产品 RF FET。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：LDMOS；频率：880MHz；增益：21dB；电压-测试：28V；

厂商：飞思卡尔半导体
类别：分立半导体产品/RF FET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：LDMOS
电压-集射极击穿（最大值）：-
频率：880MHz
增益：21dB
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
电压-测试：28V
额定电流：10µA
功率-最大值：-
噪声系数：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：-
电流-测试：1.4A
功率-输出：58W
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：-
电压-额定：66V
封装/外壳：NI-880S
供应商器件封装：NI-880S

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