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综述介绍

BAR 81W H6327

BAR 81W H6327

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是英飞凌科技公司的BAR 81W H6327的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；二极管类型：标准 - 单；电压-峰值反向（最大值）：30V；电流-最大值：100mA；不同Vr，F时的电容：0.9pF @ 3V，1MHz；

厂商：英飞凌科技公司
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
二极管类型：标准 - 单
电压-峰值反向（最大值）：30V
电流-最大值：100mA
不同Vr，F时的电容：0.9pF @ 3V，1MHz
不同If，F时的电阻：1 欧姆 @ 5mA，100MHz
功率耗散（最大值）：100mW
封装/外壳：SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：PG-SOT343-4

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