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MMBD352LT1G

MMBD352LT1G

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是安森美半导体公司的MMBD352LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；二极管类型：肖特基 - 1 对串联；电压-峰值反向（最大值）：7V；不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz；功率耗散（最大值）：225mW；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF 二极管/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 二极管类型：肖特基 - 1 对串联
  • 电压-峰值反向（最大值）：7V
  • 电流-最大值：-
  • 不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz
  • 不同If，F时的电阻：-
  • 功率耗散（最大值）：225mW
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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