MMBD352LT1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBD352LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；二极管类型：肖特基 - 1 对串联；电压-峰值反向（最大值）：7V；不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz；功率耗散（最大值）：225mW；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基 - 1 对串联
电压-峰值反向（最大值）：7V
电流-最大值：-
不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz
不同If，F时的电阻：-
功率耗散（最大值）：225mW
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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