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综述介绍

JDP2S12CR(TE85L,Q

JDP2S12CR(TE85L,Q

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的JDP2S12CR(TE85L,Q的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；二极管类型：PIN - 单；电压-峰值反向（最大值）：180V；电流-最大值：1A；不同Vr，F时的电容：1.3pF @ 40V，1MHz；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
二极管类型：PIN - 单
电压-峰值反向（最大值）：180V
电流-最大值：1A
不同Vr，F时的电容：1.3pF @ 40V，1MHz
不同If，F时的电阻：700 毫欧 @ 10mA，100MHz
功率耗散（最大值）：-
封装/外壳：SOD-123F
供应商器件封装：S-FLAT（1.6x3.5）

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