BA779-2-HG3-18

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的BA779-2-HG3-18的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；二极管类型：PIN - 1 对串联；电压-峰值反向（最大值）：30V；电流-最大值：50mA；不同Vr，F时的电容：0.5pF @ 0V，100MHz；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
二极管类型：PIN - 1 对串联
电压-峰值反向（最大值）：30V
电流-最大值：50mA
不同Vr，F时的电容：0.5pF @ 0V，100MHz
不同If，F时的电阻：50 欧姆 @ 1.5mA，100MHz
功率耗散（最大值）：-
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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