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综述介绍

HBAT-540C-TR1G

HBAT-540C-TR1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美国安华高科技有限公司的HBAT-540C-TR1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；二极管类型：肖特基 - 1 对串联；电压-峰值反向（最大值）：30V；电流-最大值：430mA；功率耗散（最大值）：825mW；

厂商：美国安华高科技有限公司
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基 - 1 对串联
电压-峰值反向（最大值）：30V
电流-最大值：430mA
不同Vr，F时的电容：-
不同If，F时的电阻：-
功率耗散（最大值）：825mW
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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