HBAT-540C-TR1G
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是美国安华高科技有限公司的HBAT-540C-TR1G的数据表,它是属于分立半导体产品 RF 二极管。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;二极管类型:肖特基 - 1 对串联;电压-峰值反向(最大值):30V;电流-最大值:430mA;功率耗散(最大值):825mW;
- 厂商:美国安华高科技有限公司
- 类别:
分立半导体产品/RF 二极管/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压-峰值反向(最大值):30V
- 电流-最大值:430mA
- 不同Vr,F时的电容:-
- 不同If,F时的电阻:-
- 功率耗散(最大值):825mW
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:SOT-323