Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > RF 二极管 > MBD110DWT1G

综述介绍

MBD110DWT1G

MBD110DWT1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MBD110DWT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；二极管类型：肖特基 - 2 个独立式；电压-峰值反向（最大值）：7V；不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz；功率耗散（最大值）：120mW；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 二极管/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
二极管类型：肖特基 - 2 个独立式
电压-峰值反向（最大值）：7V
电流-最大值：-
不同Vr，F时的电容：1pF @ 0V，1MHz
不同If，F时的电阻：-
功率耗散（最大值）：120mW
封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：SC-88/SC70-6/SOT-363

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号