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综述介绍

BLT81,115

BLT81,115

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BLT81,115的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：9.5V；频率-跃迁：900MHz；增益：8dB；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：9.5V
频率-跃迁：900MHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：8dB
功率-最大值：2W
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：25 @ 300mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SC-73

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