BFU725F/N1,115

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BFU725F/N1,115的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：2.8V；频率-跃迁：55GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：2.8V
频率-跃迁：55GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
增益：10dB ~ 24dB
功率-最大值：136mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：160 @ 10mA，2V
电流-集电极（Ic）（最大值）：40mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-343 反向插针
供应商器件封装：4-SO

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