HFA3134IHZ96
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是英特矽尔半导体有限公司的HFA3134IHZ96的数据表,它是属于分立半导体产品 RF 晶体管(BJT)。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;晶体管类型:2 NPN(双);电压-集射极击穿(最大值):9V;频率-跃迁:8.5GHz;噪声系数(dB,不同f时的典型值):2.4dB @ 1GHz;
- 厂商:英特矽尔半导体有限公司
- 类别:
分立半导体产品/RF 晶体管(BJT)/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:2 NPN(双)
- 电压-集射极击穿(最大值):9V
- 频率-跃迁:8.5GHz
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):2.4dB @ 1GHz
- 增益:-
- 功率-最大值:-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):48 @ 10mA,2V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):26mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商器件封装:SOT-23-6