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MMBTH10-4LT1G

MMBTH10-4LT1G

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是安森美半导体公司的MMBTH10-4LT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：25V；频率-跃迁：800MHz；功率-最大值：225mW；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：25V
  • 频率-跃迁：800MHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 增益：-
  • 功率-最大值：225mW
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 4mA，10V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
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