中电网
中电网首页

产品索引  > 分立半导体产品 > RF 晶体管（BJT）  >  MMBTH11

MMBTH11

MMBTH11

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是飞兆半导体公司的MMBTH11的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：25V；频率-跃迁：650MHz；功率-最大值：225mW；


  • 厂商：飞兆半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：25V
  • 频率-跃迁：650MHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
  • 增益：-
  • 功率-最大值：225mW
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 4mA，10V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：50mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099