MT3S20P(TE12L,F)

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的MT3S20P(TE12L,F)的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：12V；频率-跃迁：7GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.45dB @ 1GHz；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：12V
频率-跃迁：7GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.45dB @ 1GHz
增益：16.5dB
功率-最大值：1.8W
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 50mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：80mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-243AA
供应商器件封装：PW-MINI

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