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综述介绍

2N5109

2N5109

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的2N5109的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：20V；频率-跃迁：1.2GHz；增益：12dB；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：20V
频率-跃迁：1.2GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：12dB
功率-最大值：2.5W
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 50mA，15V
电流-集电极（Ic）（最大值）：400mA
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-205AD，TO-39-3 金属罐
供应商器件封装：TO-39

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