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综述介绍

BFS25A,115

BFS25A,115

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BFS25A,115的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：5V；频率-跃迁：5GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：5V
频率-跃迁：5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
增益：-
功率-最大值：32mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 500µA，1V
电流-集电极（Ic）（最大值）：6.5mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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