Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > RF 晶体管（BJT） > MMBTH10LT3G

综述介绍

MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBTH10LT3G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：25V；频率-跃迁：650MHz；功率-最大值：225mW；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：25V
频率-跃迁：650MHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：-
功率-最大值：225mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 4mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号