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综述介绍

MMBTH10M3T5G

MMBTH10M3T5G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBTH10M3T5G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：25V；频率-跃迁：650MHz；功率-最大值：265mW；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：25V
频率-跃迁：650MHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：-
功率-最大值：265mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 4mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-723
供应商器件封装：SOT-723

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