55GN01FA-TL-H

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的55GN01FA-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：10V；频率-跃迁：4.5GHz ~ 5.5GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.9dB @ 1GHz；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：10V
频率-跃迁：4.5GHz ~ 5.5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.9dB @ 1GHz
增益：11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz
功率-最大值：250mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：70mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-81
供应商器件封装：3-SSFP

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