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综述介绍

2SC5415AF-TD-E

2SC5415AF-TD-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的2SC5415AF-TD-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：12V；频率-跃迁：6.7GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.1dB @ 1GHz；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：12V
频率-跃迁：6.7GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1.1dB @ 1GHz
增益：9dB
功率-最大值：800mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：90 @ 30mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-243AA
供应商器件封装：PCP

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