HFA3096BZ96

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是英特矽尔半导体有限公司的HFA3096BZ96的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：-可替代的包装；晶体管类型：3 NPN + 2 PNP；电压-集射极击穿（最大值）：12V，15V；频率-跃迁：8GHz，5.5GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：3.5dB @ 1GHz；

厂商：英特矽尔半导体有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：-可替代的包装
系列：-
晶体管类型：3 NPN + 2 PNP
电压-集射极击穿（最大值）：12V，15V
频率-跃迁：8GHz，5.5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：3.5dB @ 1GHz
增益：-
功率-最大值：150mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 10mA，2V / 20 @ 10mA，2V
电流-集电极（Ic）（最大值）：65mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC

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