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综述介绍

MRF555T

MRF555T

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的MRF555T的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：16V；增益：11dB ~ 12.5dB；功率-最大值：3W；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：16V
频率-跃迁：-
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：11dB ~ 12.5dB
功率-最大值：3W
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 100mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：超大功率
供应商器件封装：超大功率

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