MRF5812GR2

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美高森美电源产品集团有限公司的MRF5812GR2的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：15V；频率-跃迁：5GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：2dB ~ 3dB @ 500MHz；

厂商：美高森美电源产品集团有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：15V
频率-跃迁：5GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：13dB ~ 15.5dB
功率-最大值：1.25W
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：50 @ 50mA，5V
电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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