2SA1669-TB-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的2SA1669-TB-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电压-集射极击穿（最大值）：15V；频率-跃迁：3GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：2dB @ 900MHz；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电压-集射极击穿（最大值）：15V
频率-跃迁：3GHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：2dB @ 900MHz
增益：5dB
功率-最大值：250mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：15 @ 5mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）：50mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：3-CP

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