3MN03SF-TL-E
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是三洋半导体(美国)有限公司的3MN03SF-TL-E的数据表,它是属于分立半导体产品 RF 晶体管(BJT)。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:NPN;电压-集射极击穿(最大值):20V;频率-跃迁:320MHz;噪声系数(dB,不同f时的典型值):3dB @ 100MHz;
- 厂商:三洋半导体(美国)有限公司
- 类别:
分立半导体产品/RF 晶体管(BJT)/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电压-集射极击穿(最大值):20V
- 频率-跃迁:320MHz
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):3dB @ 100MHz
- 增益:-
- 功率-最大值:150mW
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):60 @ 1mA,6V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):30mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:3-SSFP