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综述介绍

4MN10CH-TL-E

4MN10CH-TL-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是三洋半导体（美国）有限公司的4MN10CH-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：200V；频率-跃迁：400MHz；功率-最大值：600mW；

厂商：三洋半导体（美国）有限公司
类别：分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电压-集射极击穿（最大值）：200V
频率-跃迁：400MHz
噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-
增益：-
功率-最大值：600mW
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：60 @ 10mA，10V
电流-集电极（Ic）（最大值）：100mA
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-96
供应商器件封装：3-CPH

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