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EC3H02BA-TL-H

EC3H02BA-TL-H

发布时间：2015-08-19
简介：

本文是安森美半导体公司的EC3H02BA-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 晶体管（BJT）。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电压-集射极击穿（最大值）：10V；频率-跃迁：7GHz；噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1dB @ 1GHz；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/RF 晶体管（BJT）/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR）
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压-集射极击穿（最大值）：10V
  • 频率-跃迁：7GHz
  • 噪声系数（dB，不同f时的典型值）：1dB @ 1GHz
  • 增益：8.5dB
  • 功率-最大值：100mW
  • 不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：120 @ 20mA，5V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：70mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-XFDFN
  • 供应商器件封装：3-ECSP1006
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