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BZX84C4V7S-7-F

BZX84C4V7S-7-F

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是Diodes公司的BZX84C4V7S-7-F的数据表,它是属于分立半导体产品 二极管/齐纳阵列。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;配置:2 个独立式;电压-齐纳(标称值)(Vz):4.7V;容差:±6%;功率-最大值:200mW;


  • 厂商:Diodes公司
  • 类别: 分立半导体产品/二极管/齐纳阵列/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:-
  • 配置:2 个独立式
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):4.7V
  • 容差:±6%
  • 功率-最大值:200mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):80 欧姆
  • 不同Vr时的电流-反向漏电流:3µA @ 2V
  • 不同If时的电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
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