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综述介绍

PZU9.1DB2,115

PZU9.1DB2,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PZU9.1DB2,115的数据表，它是属于分立半导体产品二极管/齐纳阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；配置：2 个独立式；电压-齐纳（标称值）（Vz）：9.1V；容差：±2%；功率-最大值：250mW；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/二极管/齐纳阵列/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
配置：2 个独立式
电压-齐纳（标称值）（Vz）：9.1V
容差：±2%
功率-最大值：250mW
阻抗（最大值）（Zzt）：10 欧姆
不同Vr时的电流-反向漏电流：500nA @ 6V
不同If时的电压-正向（Vf）：900mV @ 10mA
工作温度：-55°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
供应商器件封装：5-TSSOP

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