BAS385-TR

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是威世半导体公司二极管部的BAS385-TR的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/整流器。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；二极管类型：肖特基；电压-DC反向（Vr）（最大值）：30V；电流-平均整流（Io）：200mA；不同If时的电压-正向（Vf）：800mV @ 100mA；

厂商：威世半导体公司二极管部
类别：分立半导体产品/单二极管/整流器/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基
电压-DC反向（Vr）（最大值）：30V
电流-平均整流（Io）：200mA
不同If时的电压-正向（Vf）：800mV @ 100mA
速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间（trr）：-
不同Vr时的电流-反向漏电流：2.3µA @ 25V
不同Vr，F时的电容：10pF @ 1V，1MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：2-SMD，无引线
供应商器件封装：MicroMELF
工作温度-结：125°C（最大）

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