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1N5239B-TR

1N5239B-TR

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是威世半导体公司二极管部的1N5239B-TR的数据表,它是属于分立半导体产品 单二极管/齐纳。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;电压-齐纳(标称值)(Vz):9.1V;容差:±5%;功率-最大值:500mW;阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆;


  • 厂商:威世半导体公司二极管部
  • 类别: 分立半导体产品/单二极管/齐纳/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):9.1V
  • 容差:±5%
  • 功率-最大值:500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):10 欧姆
  • 不同Vr时的电流-反向漏电流:3µA @ 7V
  • 不同If时的电压-正向(Vf):1.1V @ 200mA
  • 工作温度:175°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:DO-35
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