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综述介绍

1SMB5932BT3G

1SMB5932BT3G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的1SMB5932BT3G的数据表，它是属于分立半导体产品单二极管/齐纳。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；电压-齐纳（标称值）（Vz）：20V；容差：±5%；功率-最大值：3W；阻抗（最大值）（Zzt）：14 欧姆；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/单二极管/齐纳/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
电压-齐纳（标称值）（Vz）：20V
容差：±5%
功率-最大值：3W
阻抗（最大值）（Zzt）：14 欧姆
不同Vr时的电流-反向漏电流：1µA @ 15.2V
不同If时的电压-正向（Vf）：1.5V @ 200mA
工作温度：-65°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DO-214AA，SMB
供应商器件封装：SMB

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