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T835-600G-TR

T835-600G-TR

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的T835-600G-TR的数据表，它是属于分立半导体产品 双向可控硅。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；系列：Snubberless™；三端双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器；电压-断态：600V；电流-通态（It（RMS））（最大值）：8A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 分立半导体产品/双向可控硅/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：Snubberless™
  • 三端双向可控硅类型：可控硅 - 无缓冲器
  • 电压-断态：600V
  • 电流-通态（It（RMS））（最大值）：8A
  • 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）：1.3V
  • 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）：80A，84A
  • 电流-栅极触发（Igt）（最大值）：35mA
  • 电流-保持（Ih）（最大值）：35mA
  • 配置：单一
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：D2PAK
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