MMBV2109LT1

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的MMBV2109LT1的数据表，它是属于分立半导体产品可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；不同Vr，F时的电容：36.3pF @ 4V，1MHz；电容比：3.2；电容比条件：C2/C30；电压-峰值反向（最大值）：30V；

厂商：安森美半导体公司
类别：分立半导体产品/可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管）/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
不同Vr，F时的电容：36.3pF @ 4V，1MHz
电容比：3.2
电容比条件：C2/C30
电压-峰值反向（最大值）：30V
二极管类型：单一
不同Vr，F时的Q值：200 @ 4V，50MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

PDF 下载