ESM2012DV

发布时间：2015-08-14

简介：

本文是意法半导体公司的ESM2012DV的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管 - 模块。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：NPN - 达林顿；电流-集电极（Ic）（最大值）：120A；电压-集射极击穿（最大值）：120V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1A，100A；

厂商：意法半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管 - 模块/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：NPN - 达林顿
电流-集电极（Ic）（最大值）：120A
电压-集射极击穿（最大值）：120V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1A，100A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：1200 @ 100A，5V
功率-最大值：175W
频率-跃迁：-
安装类型：底座安装
封装/外壳：ISOTOP
供应商器件封装：ISOTOP®

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