MPSA43-AP

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是深圳市美微科半导体有限公司的MPSA43-AP的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：300mA；电压-集射极击穿（最大值）：200V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 2mA，20mA；

厂商：深圳市美微科半导体有限公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：300mA
电压-集射极击穿（最大值）：200V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：400mV @ 2mA，20mA
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，10V
功率-最大值：625mW
频率-跃迁：50MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：TO-92

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