ZX5T851GTA

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是Diodes公司的ZX5T851GTA的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：6A；电压-集射极击穿（最大值）：60V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：260mV @ 300mA，6A；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：6A
电压-集射极击穿（最大值）：60V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：260mV @ 300mA，6A
电流-集电极截止（最大值）：20nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 2A，1V
功率-最大值：3W
频率-跃迁：130MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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