2SA1962-O(Q)

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是东芝半导体的2SA1962-O(Q)的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：15A；电压-集射极击穿（最大值）：230V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3V @ 800mA，8A；

厂商：东芝半导体
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：15A
电压-集射极击穿（最大值）：230V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：3V @ 800mA，8A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 1A，5V
功率-最大值：130W
频率-跃迁：30MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P（N）

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