BUJ302AD,118

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的BUJ302AD,118的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：400V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1A，3.5A；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：400V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.5V @ 1A，3.5A
电流-集电极截止（最大值）：250mA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：25 @ 800mA，3V
功率-最大值：80W
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK

PDF 下载