KSC5026MOS

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是飞兆半导体公司的KSC5026MOS的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：散装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：1.5A；电压-集射极击穿（最大值）：800V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：2V @ 150mA，750mA；

厂商：飞兆半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：散装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：1.5A
电压-集射极击穿（最大值）：800V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：2V @ 150mA，750mA
电流-集电极截止（最大值）：10µA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：20 @ 100mA，5V
功率-最大值：20W
频率-跃迁：15MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：TO-126

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