DSS3515M-7B

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DSS3515M-7B的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA；电压-集射极击穿（最大值）：15V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 50mA，500mA；

厂商：Diodes公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：500mA
电压-集射极击穿（最大值）：15V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：250mV @ 50mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：150 @ 100mA，2V
功率-最大值：250mW
频率-跃迁：340MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-UFDFN
供应商器件封装：3-DFN1006（1.0x0.6）

PDF 下载