PBSS5230T,215

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PBSS5230T,215的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：350mV @ 200mA，2A；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：350mV @ 200mA，2A
电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：200 @ 1A，2V
功率-最大值：480mW
频率-跃迁：200MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

PDF 下载