PBSS5440D,115

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PBSS5440D,115的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：40V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：450mV @ 600mA，6A；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：分立半导体产品/晶体管（BJT） - 单路/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：40V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：450mV @ 600mA，6A
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：175 @ 2A，2V
功率-最大值：1.1W
频率-跃迁：110MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP

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